Ochiq kirishMaqola
Sharifa B, Utamuradova, Jonibek J. Khamdamov, Bekzod Sh. Alikulov, Khojakbar S. Daliyev · Research Focus International Scientific Journal · 2025
Kremniy asosidagi yarimo‘tkazgich materiallar zamonaviy mikroelektronika va optoelektronikaning muhim tarkibiy qismi hisoblanadi. Xususan, kristall panjaraga erbiy (Er) kiritilganda kremniy tuzilishida bir qator muhim strukturaviy o‘zgarishlar sodir bo‘ladi. Kremniyda bunday o‘zgarishlar infraqizil (FTIR) spektroskopiya yordamida ayniqsa yaxshi aniqlanadi, chunki bu usul Si–O–Si, Er–O, Si–C kabi bog‘lanishlarning tebranish modalarini aniq qayd etish imkonini beradi. Tuzilishda yangi fazalarning hosil bo‘lishi, oksidlanish darajasi va optik faol kislorod konsentratsiyasi FTIR yordamida olingan cho‘qqilarning joylashuvi, intensivligi va kengligi bo‘yicha baholanadi. Eng muhim o‘zgarishlar Si–O–Si assimetrik valent tebranishi (νₐs) chizig‘i atrofida qayd etildi. Erbiy atomlari kiritilgan namunada bu cho‘qqi 1099 sm⁻¹ da aniqlangan bo‘lsa, dastlabki namunada u 1109 sm⁻¹ ga siljigan, intensivligi ham kamaygan va chiziq kengaygan. Bu o‘zgarishlar termik ishlov berish jarayonida kislorodga boyigan, biroq kuchli tartibsizlangan amorf SiOₓ qatlamining hosil bo‘lishi bilan izohlanadi. Natijada Si–O–Si bog‘lanishlaridagi burchak kengayadi, bog‘lanish uzunligi biroz ortadi, bu esa bog‘lanish elastikligining kamayishi bilan birga tebranish chastotasining pasayishiga olib keladi. Cho‘qqining kengayishi tuzilishdagi burchak va bog‘lanish uzunligi taqsimotining ortishidan dalolat beradi.