Магнетронное распыление широкозонного триоксида молибдена MoO3

Magnetron changlatish texnologiyasining muhim parametrlaridan biri jarayonning boshqariluvchanligini ta‘minlashdir. O‘tqazish tezligi — nishon sirtidan uchib chiqqan atomlarning taglikka yetib borishi natijasida plyonka qalinligining bir daqiqada ortish tezligi. Umuman olganda, o‘tqazish tezligi 50 dan 500 Å/min gacha o‘zgaradi. Yuqori chastotali va o‘zgarmas tok rejimlarida ion toklarining o‘rtacha qiymatlari bir-biridan kam farq qiladi; plazma elektron ionlanish natijasida hosil bo‘ladi, elektron ionlanish esa radiochastotali nurlanish yordamida amalga oshiriladi. Taglik harorati odatda eng yaxshi tekstura olinadigan qilib optimallashtiriladi. Dastlabki changlatish jarayonida molibden oksidini hosil qilish, xususan, MoO3 birikmasini sozlash uchun kameraga kislorod beriladi. Hosil bo‘lgan molibden oksidi plyonkalari turli maqsadlar uchun qiziqarli materiallar hisoblanadi.

R E S E A RC H F O C US xalqaro ilmiy jurnali hamkorligida

QR-kod maqolaning DOI sahifasini ochadi SAHIFALAR TIL 1440–1443 Rus IQTIBOS UCHUN Музафарова С.А., Ташланова Д.М. Магнетронное распыление широкозонного триоксида молибдена MoO3 // «O‘zbekiston olima ayollarining mamlakat taraqqiyotiga qo‘shayotgan hissasi» mavzusidagi xalqaro ilmiy-amaliy konferensiya materiallari (Nukus, 2026- yil 9–10-oktyabr). – Nukus, 2026. – B. 1440–1443. – DOI: https://doi.org/ 10.66073/ReFocus-Conf/0910301

«O‘zbekiston olima ayollarining mamlakat taraqqiyotiga qo‘shayotgan hissasi» XALQARO ILMIY-AMALIY KONFERENSIYA NUKUS, 9–10-OKT YABR 2026

МАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ ШИРОКОЗОННОГО ТРИОКСИДА МОЛИБДЕНА MoO3

Музафарова С.А. Ташланова Д.М. Research Institute of Semiconductor Physics and Microelectronic, Uzbekistan, Tashkent, Yangi Olmazor str., 20 E-mail: samusu@ramler.ru

Аннотация: Одним из важных параметров в технологии магнетронного распыления является обеспечение управляемости. Скорость осаждения — это скорость увеличения толщины пленки, образованной атомом. за минуту достигало подложки с целевой поверхности. В целом, скорость осаждения изменяется в диапазоне от 50 до 500 А/ми Средние значения ВЧ и постоянного тока ионных токов не сильно отличаются, где плазма образуется в результате электронной ионизации. Электронная ионизация осуществляется с помощью радиочастотного излучения. Температура подложки обычно оптимизируется в соответствии с наилучшей текстурой. В процессе предварительного распыления через камеру подается кислород для образования оксида молибдена. соединение, особенно для настройки соединения MoO3. Образовавшиеся пленки в соединения оксида молибдена представляют собой интересные материалы для различных целей.

За последние десять лет технология магнетронного распыления быстро продвинулась до такой степени, что в настоящее время этот метод признан предпочтительным для внесения различных важных элементов промышленных покрытий. Этот рост обусловлен растущей потребностью в высококачественных покрытиях. Функции обеспечения качества в многочисленных разнообразных секторах рынка. Магнетронное распыление.

Теперь материалы могут демонстрировать такие же характеристики, как и более густые материалы, созданные другими методами физического парофазного осаждения. Технологии осаждения (PVD) часто обеспечивают одинаковую функциональность [1-4]. В основе концепции распыления лежит физика, и цель состоит в том, чтобы понять механизм этого процесса.

Одним из важных параметров в технологии магнетронного распыления является обеспечение управляемости. Скорость осаждения — это скорость увеличения толщины пленки, образованной атомом. за минуту достигало подложки с целевой поверхности. В целом, скорость осаждения изменяется в диапазоне от 50 до 500 А/ми Средние значения ВЧ и постоянного тока ионных токов не сильно отличаются. При напряжении 1000 В и плотности тока 1 мА/см2. Для кварца это будет эквивалентно 1 мкс. подложка с типичной емкостью 1 пФ/см2. Следовательно, для частот, превышающих 1 МГц, непрерывный разряд может поддерживаться [5], что приводит к генерации ВЧ. Плазма образуется в результате электронной ионизации. Электронная ионизация осуществляется с помощью радиочастотного излучения. NUKUS · 2026 X A L Q A R O I L M I Y- A M A L I Y K O N F E R E N S I YA

Рисунок 1. а) Устройство для магнетронного распыления NANOVAK-400, использованное в данной работе; б) Образование плазмы в процессе осаждения Помимо инертного газа, в систему вводятся и другие реактивные газы. В качестве таких газов могут использоваться O2, N2 и другие. CH4. Этот процесс обычно называется реактивным процессом или реактивным « O ‘ Z B E K I S T O N O L I M A AY O L L A R I N I N G M A M L A K AT T A R A Q Q I Y O T I G A Q O ‘ S H AY O T G A N H I S S A S I »

распылением. Частота магнетрона, которая колеблется на уровне 13,56 МГц и превышает 1 МГц для непрерывного разряда. Существуют некоторые параметры, которые могут влиять на свойства тонкой пленки и ее рост. условия: 1) Температура субстрата, 2) Базовое давление, 3) Давление распыляющего газа, 4) Реактивное давление газа, 5) Мощность радиочастотного сигнала. Первый параметр — температура подложки, влияющая на подвижность адатомов. Таким образом, повышение температуры субстрата вызывает подвижность адатомов и усиливает структурную однородность. Температура подложки обычно оптимизируется в соответствии с наилучшей текстурой. Для определения конечной толщины тонкой пленки необходимо тщательно выбирать и подготавливать подложки. свойства должным образом. Поскольку разные субстраты имеют разную структуру и механические свойства. Для исследования оптических свойств использовались три типа подложек: кремниевая пластина [001] и другие. MgO (оксид магния) и Al2O3 (сапфир). Размеры кремниевой пластины и Al2O3. В камере был создан вакуум приблизительно 2 х 10-6 мТорр. После этого в камеру подавали аргон. был помещен в камеру и генерировал плазму для очистки. Загрязнение поверхности мишени в процессе предварительного распыления. Размеры подложек указаны соответственно как 1 х 1 см2 и 1,5 х 1,5 см2. процесс очистки, включающий обработку ацетоном и спиртом.

Подложки очищали с помощью ультразвуковой обработки ацетоном в течение 10 минут при комнатной температуре. температура. Затем их промыли изопропанолом и высушили под струей азота. Мишень из чистого (99,95%) металлического молибдена. В процессе предварительного распыления через камеру подается NUKUS · 2026

кислород для образования оксида молибдена. соединение, особенно для настройки соединения MoO3. Для настройки MoO3 используются параметры осаждения, такие как мощность, давление распыления, парциальное давление Ar и O2 (Табл.1). X A L Q A R O I L M I Y- A M A L I Y K O N F E R E N S I YA

Таблица 1. Оптимизация парциальных давлений Ar и O2 Working Partial Partial Target Power Time Substrate Temperature Pressure Pressure Pressure Gas of Ar Gas of 02 (W) (mTorr) (min) (%) (%) ro Mo 150 15 40 100 0 Si RT Mo 150 15 40 80 20 Si RT Mo 15 15 40 60 40 Si RT Mo 150 15 40 40 60 Si RT Mo 150 15 40 20 80 Si RT Одной из целей данного исследования была оптимизация газового « O ‘ Z B E K I S T O N O L I M A AY O L L A R I N I N G M A M L A K AT T A R A Q Q I Y O T I G A Q O ‘ S H AY O T G A N H I S S A S I »

состава и температуры подложки. Оксид молибдена MoO3 успешно выращен методом реактивного магнетронного распыления на подложке [001] Si. субстрат. Их кристалличность увеличилась за счет применения термической обработки на месте. Структурные, морфологические и электрические свойства пленок MoO3 были исследованы с помощью помимо влияния корреляции между несколькими методами характеризации, рассматривается также влияние корреляции между ними. Толщина и параметры осаждения влияют на концентрацию дефектов. Пленки, осажденные при времени осаждения менее 40 минут кристаллическая структура преимущественно состоит из a-MoO3. В отличие от этого, пленка, осажденная через 40 минут, состоит преимущественно из основной 3-MoO2 фазы. а также состоит из структур a-MoO3 и y-Mo4O11. Образовавшиеся пленки в соединения оксида молибдена представляют собой интересные материалы для различных целей, оптические и электрические приложения, такие как газовые датчики, устройства хранения данных или микробатареи.