The analytical expression of the spectrum, derived for the region of exponential absorption of amorphous semiconductors, is investigated. The parameters in this expression that determine the slope of the tails of the allowed bands are determined by fitting to the exponential absorption spectrum, which are determined experimentally. For the Davis-Mott approximation, a new formula is derived from the Kubo-Greenwood formula, which determines the densities of electronic states at the tail of the valence band. Using these formulas and the experimentally determined exponential absorption spectrum, it is shown that it is possible to determine the density of electronic states at the tail of the valence band.
Исследовано аналитическое выражение спектра, выведенное для области экспоненциального поглощения аморфных полупроводников. Параметры в этом выражении, определяющие наклон хвостов разрешенных зон, находятся путем подгонки к экспоненциальному спектру поглощения, который определяется экспериментально. Для приближения Дэвиса-Мотта из формулы Кубо-Гринвуда выведена новая формула, определяющая плотности электронных состояний на хвосте валентной зоны. С помощью этих формул и экспериментально определенного экспоненциального спектра поглощения показано, что можно определить плотность электронных состояний на хвосте валентной зоны.
Amorf yarimo‘tkazgichlarning eksponensial yutilish sohasi uchun keltirib chiqarilgan spektrning analitik ifodasi tadqiq etilgan. Ushbu ifodadagi ruxsat etilgan zonalar dumlarining qiyaligini belgilovchi parametrlar eksperimental tarzda aniqlanadigan eksponensial yutilish spektriga moslash yo‘li bilan topiladi. Devis-Mott yaqinlashuvi uchun Kubo-Grinvud formulasidan valent zonasi dumidagi elektron holatlar zichligini aniqlovchi yangi formula keltirib chiqarilgan. Ushbu formulalar va eksperimental aniqlangan eksponensial yutilish spektri yordamida valent zonasi dumidagi elektron holatlar zichligini aniqlash mumkinligi ko‘rsatilgan.